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电子元器件详细资料 » IC[33708] » ZXMN3A06DN8TA
型号:ZXMN3A06DN8TA类别:FET - 阵列制造商:Diodes Inc
封装:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)描述:MOSFET 2N-CH 30V 6.2A 8-SOIC

详细参数

类别FET - 阵列
描述MOSFET 2N-CH 30V 6.2A 8-SOIC
系列-
制造商Diodes Inc
FET型2 个 N 沟道(双)
FET特点逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)30V
电流_连续漏极(Id)0a025000C4.9A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C35 毫欧 @ 9A,10V
Id时的Vgs(th)111最大2221V @ 250µA
闸电荷(Qg)0a0Vgs17.5nC @ 10V
输入电容(Ciss)0a0Vds796pF @ 25V
功率_最大1.25W
安装类型表面贴装
封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装8-SO
包装剪切带 (CT)

供应商

现代芯城(深圳)科技有限公司董0755-82542579
深圳市品优时代科技有限公司唐0755-23612326
深圳市芯脉实业有限公司骆0755-84507209
深圳市大源实业科技有限公司李0755-84862070
深圳市春东电子有限公司朱先生/王小姐0755-82563615/82563213
深圳市科雨电子有限公司汪小姐,15173547089,无线联通更快捷!171-4729-1886(微信同号)
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